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半導體雷射波長的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列問答集和懶人包總整理
半導體雷射波長的問題，我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍，推薦盧廷昌,王興宗寫的 半導體雷射技術（2版） 和賴柏洲 的 光纖通信與網路技術(第四版)都 可以從中找到所需的評價。
另外網站實現世界最短波長的次世代光碟新技術 - 材料世界網也說明：日本Hamamatsu Photonics開發出發出世界最短波長的半導體雷射。係使用特殊的結晶長成技術，可成功製作出缺陷較少的元件。被視為可作為記錄更多資料的 ...
這兩本書分別來自五南 和全華圖書所出版 。
國立陽明大學 生醫光電研究所 高甫仁所指導 張文翔的 多波長雷射應用於體外膽結石處理 （2019），提出半導體雷射波長關鍵因素是什麼，來自於雷射碎石術、膽結石、半導體雷射、脈衝雷射。
而第二篇論文國立臺灣大學 光電工程學研究所 楊志忠所指導 鍾瑋倫的 以光致發螢光技術研究氮化銦鎵/氮化鎵及氧化鎘鋅/氧化鋅量子井結構之發光特性 （2011），提出因為有 光致發光、氮化銦鎵/氮化鎵、氧化鎘鋅/氧化鋅、量子井的重點而找出了 半導體雷射波長的解答。
最後網站常見問答| 【HANLIN自動對焦全金屬雷射雕刻機】簡單60秒上手!則補充：答：市場上常見的雷射加工機分為「光纖雷射」與「CO2雷射」兩種技術為主，還有另一種「半導體二極雷射」，都是用高能量光束作用於物體，差異主要在於光源的波長，由於 ...
半導體雷射技術（2版）
為了解決半導體雷射波長 的問題，作者盧廷昌,王興宗 這樣論述：
半導體雷射廣泛的存在於今日高度科技文明的生活中，如光纖通信、高密度光碟機、雷射印表機、雷射電視、雷射滑鼠、雷射舞台秀甚至雷射美容與醫療、軍事等不勝枚舉之應用都用到了半導體雷射。半導體雷射的實現可以說是半導體科技與光電科技的智慧結晶，同時也對人類社會帶來無與倫比的便利與影響。本書沿續「半導體雷射導論」由淺入深的介紹半導體雷射基本操作原理與設計概念，內容涵蓋了不同半導體雷射的構造與光電特性，以及半導體雷射的製程與信賴度，可為大(專)學四年級以及研究所一年級相關科系的學生與教師，提供有系統的學習半導體雷射的教科書，本書亦適用於想要深入了解半導體雷射的專業人員。
多波長雷射應用於體外膽結石處理
為了解決半導體雷射波長 的問題，作者張文翔 這樣論述：
這項研究目的在利用膽結石的光吸收特性，開發一種新的雷射治療膽結石（雷射碎石術）。目前，用於治療膽結石的雷射產品非常昂貴，價格在2萬至5萬美元之間。雷射碎石手術是一個耗時的過程，通常超過60分鐘。以目前醫療雷射波長來說，是使用近紅外光或紅外光範圍內的脈衝固態雷射於清除膽結石手術。常用的雷射包括鈥雷射（λ〜2.1μm）和釹雅各雷射（λ〜1.064μm）。但是，這些雷射波長與膽結石的吸收光譜並不匹配。因此，需要非常高的功率才能有效消融膽結石（因吸收效率低下）。為了進行比較，我們首先使用吸收光譜儀分析膽結石的光學吸收光譜，顯示在400至450 nm的範圍內有很強的吸收帶。然後使用輸出波長為445 n
m，520 nm和638 nm的多波長半導體雷射模組來燒灼膽結石。先用445 nm的波長開始燒灼。膽結石經過初次燒灼碳化後，再同時使用其他波長加速燃燒。雷射燃燒後膽結石的脆化使其易於通過機械手段去除，將燒灼後的結石再去做應力測試，檢視是否因此雷射燒灼後更容易用機械手段將膽結石破碎。而半導體雷射跟膽結石吸收光譜有著良好的對應關係於體外實驗，但卻不利於在液體中進行碎石，故後續又嘗試了Q-switched脈衝雷射532nm的波段對液體中的膽結石進行碎石，由於532nm在膽結石吸收光譜是第二高的吸收峰值，且又可以在液體中進行碎石，是個不錯的考量。這項研究中的膽結石檢體，是來自手術移除的膽結石，於體外雷
射碎石測試。
光纖通信與網路技術(第四版)
為了解決半導體雷射波長 的問題，作者賴柏洲 這樣論述：
本書內容採簡明扼要、循序解說的方式，並以圖表說明讓讀者建立良好的光纖通信系統、元件及網路基礎，其內容包括光纖通信概論、光纜、光源、光電檢光器、光放大器、光發射、接收機、光纖寬頻網路通信技術、全光網路等，涵蓋範圍廣，讀完此書可了解光纖通信與網路技術的發展趨勢、應用與設計架構，值得您細細品嚐。本書適合大專資訊、電子、電機科系「光纖通信」課程使用。 本書特色 1.市面上還未有將光纖通信與網路技術結合編著的書籍，您不能錯過。 2.內容新穎、實用，採循序解說的方式，讓讀者建立良好基礎。
以光致發螢光技術研究氮化銦鎵/氮化鎵及氧化鎘鋅/氧化鋅量子井結構之發光特性
為了解決半導體雷射波長 的問題，作者鍾瑋倫 這樣論述：
在本論文中，我們利用光致發螢光技術研究氮化銦鎵/氮化鎵發光二極體及氧化鎘鋅/氧化鋅發光二極體之光學特性。首先以氮化銦鎵半導體雷射 (波長406nm) 對氮化銦鎵/氮化鎵發光二極體進行隨溫度變化的螢光頻譜和隨激發強度變化的螢光頻譜量測，研究在高溫成長不同厚度的p型氮化鎵下，量子井因為受到高溫熱退火而重整銦聚集結構並加強載子局部效應，也因為晶格常數的不匹配而增強內部電場，造成內部量子效率及史塔克效應不同的影響。此外，用氦鎘雷射 (波長325nm) 對氧化鎘鋅/氧化鋅發光二極體進行隨溫度變化的螢光頻譜和隨激發強度變化的螢光頻譜量測，研究在氮化鎵及氧化鋅基板上成長氧化鎘鋅/氧化鋅量子井，造成內部量子
效率及史塔克效應的影響，並利用兩個高斯分佈擬合發光頻譜。當量子井中鎘濃度高時，發光頻譜中存在著rock-salt氧化鎘鋅結構及wurtzite氧化鎘鋅結構，並隨著量子井中鎘濃度的增加，rock-salt結構相對wurtzite結構對全頻譜的影響更甚。