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中原大學 電子工程學系 温武義所指導 陳立軒的 製備軟性聚合物/銀金屬複合材料以供電磁干擾（EMI）遮蔽 （2021），提出emi遮蔽材料關鍵因素是什麼，來自於軟性材料、電磁波遮蔽材料、銀金屬、遮蔽效率。
而第二篇論文逢甲大學 材料科學與工程學系 何主亮所指導 黃懷萱的 高功率脈衝磁控濺鍍製備軟性高頻電磁波遮蔽膜 （2020），提出因為有 電磁波遮蔽膜、覆膜式、高功率脈衝磁控濺鍍、銅薄膜、撓曲耐用性的重點而找出了 emi遮蔽材料的解答。
製備軟性聚合物/銀金屬複合材料以供電磁干擾（EMI）遮蔽
為了解決emi遮蔽材料 的問題，作者陳立軒 這樣論述：
摘要本研究強調開發軟性基板以供遮蔽電磁波干擾，材料以聚合物/銀金屬混合成複合基板，銀金屬選擇(顆粒與扁平狀)兩種材質，適當改變銀金屬含量以及探討金屬含量對於測試頻率0.13至5 GHz間之遮蔽效率的影響。研究成果顯示這些樣品的遮蔽能力隨著銀金屬含量的增加而增加，以及當測試頻率增加時遮蔽效率變化量呈現的是平坦曲線。此外，這些實驗樣品之分散程度亦藉由掃描式電子顯微鏡加以分析，以及片電阻和老化時間對於遮蔽效率之影響亦將有所討論。
高功率脈衝磁控濺鍍製備軟性高頻電磁波遮蔽膜
為了解決emi遮蔽材料 的問題，作者黃懷萱 這樣論述：
對於新一代5G通信技術而言，如何抑制電磁波干擾(Electromagnetic interference, EMI)以避免訊號傳輸受影響，將成為一重要挑戰。另一方面，在電子元件邁向微型化及可撓曲化之需求下，傳統金屬罩的EMI遮蔽材料將不再可行，其將迫使軟性覆膜式(Conformal) EMI遮蔽膜之需求日益增加。已知高功率脈衝磁控濺鍍(High power impulse magnetron sputtering, HIPIMS)具有高離化率及高離子轟擊能量之電漿特性，故可於低溫下沉積高品質及高附著力之薄膜於高分子基材。因此，本研究遂提出利用HIPIMS製備銅薄膜於聚氨酯(Polyureth
ane, PU)複合材料，藉由系統性製程參數之探討，以評估應用於軟性高頻電磁波遮蔽膜之可能性。研究結果顯示，由於HIPIMS峰值電流增加可以提高瞬間放電功率，因而可有效提升銅薄膜之結晶性與薄膜品質；此外，藉由沉積時間可以控制所得薄膜厚度。為此，本研究HIPIMS-Cu薄膜之最佳參數為峰值電流80 A及沉積時間10 min，其所得薄膜之厚度為200 nm、薄膜電阻為0.25 Ω/sq.，且於X band之平均電磁波遮蔽效率可達-60 dB。接著，藉由靜態撓曲試驗結果可知，HIPIMS-Cu薄膜之撓曲臨界曲率半徑為2.0 mm；進一步於曲率半徑2.5 mm下進行10,000次之動態撓曲試驗後，電阻
仍然保持穩定，並於X band波段之電磁波遮蔽效率仍維持於-58~-60 dB，故具有極佳之撓曲耐用性。此外，導入塗佈醇酸樹脂作為保護膜之設計，亦可使HIPIMS-Cu軟性EMI遮蔽膜成功通過三次耐銲試驗，加上其特性均優於目前市售產品，故驗證HIPIMS-Cu薄膜具有應用於軟性電磁波遮蔽膜之高度潛力。關鍵詞：電磁波遮蔽膜、覆膜式、高功率脈衝磁控濺鍍、銅薄膜、撓曲耐用性