K -clean的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列問答集和懶人包總整理

The Green Amendment: Securing Our Right to a Healthy Environment

為了解決K -clean的問題，作者Van Rossum, Maya K. 這樣論述：

Maya K. van Rossum is a veteran environmentalist who since 1996 has served as the Delaware Riverkeeper, championing the rights of over 17 million people to a free-flowing, clean, and healthy Delaware River and its tributary streams. In 2013, she was one of the original petitioners in the landmark Ro

binson Township v. Commonwealth of Pennsylvania case. Since 2002, she has served as an adjunct professor and director of the Environmental Law Clinic at Temple’s Beasley School of Law, which she founded. van Rossum lives in Delaware County Pennsylvania with her family.

K -clean進入發燒排行的影片

二維過渡金屬二硫屬化物及其異質結構之光學研究

為了解決K -clean的問題，作者許浩哲 這樣論述：

過去幾年，二維材料在光電元件中展現出新的光電特性，使其成為未來光電元件的新星。單層二維材料具有發光效率極高的優點，後續衍生出二維材料異質結構。在我們之前的研究中，我們探索了TMD單層及其異質結構的光學特性。在這些工作中，通過機械剝離法從散裝材料中獲得二維TMD，為了獲得大尺寸的單層，採用了所謂的金輔助剝離。雖然發現金輔助剝離法可用於製備大面積單層，但在金沉積過程中，單層表面會被金原子或製造過程中使用的化學物質損壞。表面降解在異質結構的製備中更為關鍵，我們無法從金輔助剝離法製備的TMD 異質結構中獲得對於層間激子一個完整並且深入的理解。在這項工作中，我們使用了一種利用PDMS的典型且更簡單的剝

離方法，並最大限度地減少了化學過程，以確保兩個TMD單層堆疊的清潔表面，並顯著改善了TMD異質結構的層間相互作用。在此兩種單層表面乾淨以及角度正確的堆疊下，我們的成就在於觀察到二硒化鉬與二硒化鎢的異構物層間激子低溫下自旋軌道分裂，然後在100-150K時量子效應消失產生相變，以及觀察到二硫化鎢與二硒化鎢的異構物層間激子，此異構物在2018年以前有許多團隊進行嘗試，然而皆未觀察到層間激子，我們常溫下也並未觀察到層間激子，然而進行低溫量測下我們發現了層間激子，其具有相當低的束縛能，解釋了為何常溫下無法觀測。這項工作幫助我們更深入地了解單層材料和TMD異質結構的靜態和動態特性。

Learning Preschool Basics (Pre-K Wipe Clean Workbook)

為了解決K -clean的問題，作者The Reading House 這樣論述：

MARLA CONN is a reading and literacy specialist with a Master of Science in Elementary Education and Reading and fifteen years’ experience as a teacher in New York public schools.

以第一原理量子傳輸理論研究在介面處有取代硫處理之二硫化鎢電晶體

為了解決K -clean的問題，作者陳竑任 這樣論述：

矽基互補式金氧半場效電晶體的持續微縮遭遇短通道效應的限制，此限制從過去到未來的發展導致了一連串的問題。包含汲極引發位障降低(Drain-induced Barrier Lowering, DIBL)、閘極引發漏電(Gate-induced Drain Leakage, GIDL)、擊穿(Punch-Through)、載子遷移率下降等等。在各種可能使電晶體微縮至1nm節點以下的新穎通道材料中，具原子尺度的二維材料不僅直觀上可克服短通道效應，使電晶體更進一步微縮，同時仍保持高載子遷移率。單原子層WS2為一種最常被研究的過渡金屬二硫族化合物(TMD)材料，實驗上已被作為電晶體的通道材料來使用，並展

示出高電流開關比、高載子遷移率及高熱穩定性。發展WS2電晶體最迫切的挑戰在於降低接觸電阻，在本論文中，我們施以第一原理量子傳輸計算來研究Metal/WS2與Metal/WSX/WS2側接觸，試圖以硫族元素之取代來降低蕭特基位障，因此減少接觸電阻。在此該取代使用了五族或七族元素取代單層WS2一側部分區域之硫族元素，產生超材料WSX (X= P, As, F, Cl, Br)的部分。另外，我們進一步比較該取代在界面金屬化與界面鍵結以及其在蕭特基位障的效果。如此之WSX緩衝接觸展示了p型Pt/WSP/WS2側接觸和n型Ti/WSCl/WS2側接觸的接觸電阻分別低至122.4Ω∙μm與97.9Ω∙μm

。此外，我們也利用第一原理分子動力學觀測到室溫下穩定的單層WSX。