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高 功率 雷 射 二極體 晶片的問題，我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍，推薦劉傳璽,陳進來寫的 半導體元件物理與製程：理論與實務(四版) 和李克駿,李克慧,李明逵的 半導體製程概論(第四版)都 可以從中找到所需的評價。
另外網站EUV驅動雷射也說明：沒有極紫外光就沒有現代電腦晶片。在此閱讀TRUMPF CO2高功率雷射系統對製造半導體結構的作用。 瞭解更多.
這兩本書分別來自五南 和全華圖書所出版 。
國立陽明交通大學 光電學院光電科技學程 郭政煌所指導 李勁直的 光萃取率提升於氮化物發光二極體之研究 （2021），提出高 功率 雷 射 二極體 晶片關鍵因素是什麼，來自於外部量子效率、覆晶式發光二極體、光輸出功率、全內反射、改變基板外觀。
而第二篇論文國立中山大學 光電工程學系研究所 洪勇智所指導 藍梁軒的 光伏元件驅動矽光子晶片之可行性探討 （2021），提出因為有 太陽能電池、光電二極體、高壓光伏元件、矽光子、環型共振腔濾波器的重點而找出了 高 功率 雷 射 二極體 晶片的解答。
最後網站專供雷射投影機使用的高功率二極體 - TrendForce則補充：這款高功率的元件還有其他應用範疇，從舞台與裝飾照明的雷射系統到醫療應用設備均可。 光通量高於1000流明的專業投影機，是新款雷射二極體PL TB450 的主要 ...
半導體元件物理與製程：理論與實務(四版)
為了解決高 功率 雷 射 二極體 晶片 的問題，作者劉傳璽,陳進來 這樣論述：
以深入淺出的方式，系統性地介紹目前主流半導體元件(CMOS)之元件物理與製程整合所必須具備的基礎理論、重要觀念與方法、以及先進製造技術。內容可分為三個主軸：第一至第四章涵蓋目前主流半導體元件必備之元件物理觀念、第五至第八章探討現代與先進的CMOS IC之製造流程與技術、第九至第十二章則討論以CMOS元件為主的IC設計和相關半導體製程與應用。由於強調觀念與實用並重，因此儘量避免深奧的物理與繁瑣的數學；但對於重要的觀念或關鍵技術均會清楚地交代，並盡可能以直觀的解釋來幫助讀者理解與想像，以期收事半功倍之效。 本書宗旨主要是提供讀者在積體電路製造工程上的know-how與know-wh
y；並在此基礎上，進一步地介紹最新半導體元件的物理原理與其製程技術。它除了可作為電機電子工程、系統工程、應用物理與材料工程領域的大學部高年級學生或研究生的教材，也可以作為半導體業界工程師的重要參考 本書特色 ●包含實務上極為重要，但在坊間書籍幾乎不提及的WAT，與鰭式電晶體(Fin-FET)、環繞式閘極電晶體(GAA-FET)等先進元件製程，以及碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)功率半導體等先進技術。 ●大幅增修習題與內容，以求涵蓋最新世代積體電路製程技術之所需。 ●以最直觀的物理現象與電機概念，清楚闡釋深奧的元件物理觀念與繁瑣的數學公式。 ●適合大專以上學
校課程、公司內部專業訓練、半導體從業工程師實務上之使用。
光萃取率提升於氮化物發光二極體之研究
為了解決高 功率 雷 射 二極體 晶片 的問題，作者李勁直 這樣論述：
本論文使用兩種不同波長450 nm與400 nm以及三種不同基板厚度150 um、300 um、400 um的覆晶式發光二極體( Flip chip LED )，使用表面雷射切割、隱形雷射切割以及輪刀切割三種不同的切割方式改變基板側面的外觀，之後再使用積分球和發散角偵測儀對這些發光二極體進行光電特性量測。一般若要增加外部量子效率( External Quantum Efficiency；EQE )，需改變封裝型式或提高封裝材料的折射率，以減少全內反射的發生進而將光有效導出元件，有助於LED亮度的提升。從本研究結果得知，LED基板厚度的提升可以提升整體的光輸出功率( Light output
power；LOP )和外部量子效率( EQE )，並且搭配使用隱形雷射切割及輪刀切割可以得到最佳效果，其中藍光LED在400 um基板厚度下的光輸出功率最高與最低差異可達61.02%，外部量子效率最高與最低差異可達61.44%，UV光LED在400 um基板厚度下的光輸出功率最高與最低差異可達48.31%，外部量子效率最高與最低差異可達48.10%。關鍵詞：外部量子效率、覆晶式發光二極體、光輸出功率、全內反射、改變基板外觀
半導體製程概論(第四版)
為了解決高 功率 雷 射 二極體 晶片 的問題，作者李克駿,李克慧,李明逵 這樣論述：
全書分為五篇，第一篇(1～3章)探討半導體材料之基本特性，從矽半導體晶體結構開始，到半導體物理之物理概念與能帶做完整的解說。第二篇(4～9章)說明積體電路使用的基礎元件與先進奈米元件。第三篇(10～24章)說明積體電路的製程。第四篇(25～26章)說明積體電路的故障與檢測。第五篇(27～28章)說明積體電路製程潔淨控制與安全。全書通用於大專院校電子、電機科系「半導體製程」或「半導體製程技術」課程作為教材。 本書特色 1.深入淺出說明半導體元件物理和積體電路結構、原理及製程。 2.從矽導體之物理概念開始，一直到半導體結構、能帶作完整的解說，使讀者學習到全盤知識
。 3.圖片清晰，使讀者一目瞭然更容易理解。 4.適用於大學、科大電子、電機系「半導體製程」或「半導體製程技術」課程或相關業界人士及有興趣之讀者。
光伏元件驅動矽光子晶片之可行性探討
為了解決高 功率 雷 射 二極體 晶片 的問題，作者藍梁軒 這樣論述：
通訊技術日新月異，矽光子已成為未來主要發展技術之一，考量矽光子晶片本身的Ge檢光器作為光伏元件的輸出電功率較低，本論文使用兩種外部光伏元件整合矽光子晶片用以驅動矽光子主動元件，達到可遠端進行光對光的直接信號控制技術，實現研究之目的。第一種光伏元件為CMOS製程製作之電池晶片，展現了體積小且與矽光子晶片整合相容性之優點，其光伏元件使用0.18 µm 標準製程製作之並且搭配微機電製程製作隔離溝槽，設計內部金屬走線來串聯每個子光伏元件，經過切割後製程使MEMS溝槽顯露達電性隔絕後，於能量約6 mW/mm2的980 nm波段雷射光照射下，單一顆子光伏元件開路電壓最高約為0.603 V，最高短路電流數
值為1.94 mA。另外，透過內部金屬串接25顆子光伏元件，其最大輸出電壓可達到14.82 V，且輸出功率亦可達10.5 mW；於能量約1 sun (1 mW/mm2)的太陽光模擬器光照環境下，單一顆子光伏元件輸出電壓約為0.474 V，短路電流約為0.155 mA，而透過串聯25顆太陽能電池，輸出電壓也提高至11.69 V，最高輸出功率約為0.9 mW。第二種光伏元件為市售三五族背面感光型檢光器作為外部光伏元件，藉由封裝製程黏貼在矽光子光柵耦合器上方，以接收由矽光子晶片傳出的光能量，我們使用IMEC晶片進行測試，在32.68 mW的寬頻譜光能量照射下，三五族光伏元件輸出電流可達4.91 mA
，產生電功率為1.78 mW；在產生高壓輸出方面，我們使用Leti晶片進行測試並製作光分歧器將光路一分為四，以讓光能量平均從四個光柵耦合器導出，進而被三五族光伏元件接收轉成電能量，在26.35 mW的寬頻譜光能量照射下，每個三五族光伏元件輸出電流可達1.19 mA，我們封裝三顆光伏元件並串接後，產生輸出電壓為1.38 V，輸出總電功率為 1.31 mW。最後，我們將兩種光伏元件用於實際驅動矽光子微加熱器，以微調矽光子環形共振腔濾波器的頻譜響應，所得到的波長調整效率約為 0.065 nm/mW，驗證利用光伏元件驅動矽光子晶片的可行性。