雷 射 發散角 計算的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列問答集和懶人包總整理

半導體雷射技術（2版）

為了解決雷 射 發散角 計算的問題，作者盧廷昌,王興宗 這樣論述：

　　半導體雷射廣泛的存在於今日高度科技文明的生活中，如光纖通信、高密度光碟機、雷射印表機、雷射電視、雷射滑鼠、雷射舞台秀甚至雷射美容與醫療、軍事等不勝枚舉之應用都用到了半導體雷射。半導體雷射的實現可以說是半導體科技與光電科技的智慧結晶，同時也對人類社會帶來無與倫比的便利與影響。本書沿續「半導體雷射導論」由淺入深的介紹半導體雷射基本操作原理與設計概念，內容涵蓋了不同半導體雷射的構造與光電特性，以及半導體雷射的製程與信賴度，可為大(專)學四年級以及研究所一年級相關科系的學生與教師，提供有系統的學習半導體雷射的教科書，本書亦適用於想要深入了解半導體雷射的專業人員。

激光原理及應用（第4版）

為了解決雷 射 發散角 計算的問題，作者陳家璧 這樣論述：

本書為普通高等教育"十一五”國家級規劃教材。 本書從內容上分為兩部分。第1～5章介紹鐳射的基本理論，從鐳射的物理學基礎出發，著重闡明物理概念，以及鐳射輸出特性與雷射器的參數之間的關係，儘量避免過多的理論計算，以掌握雷射器的選擇和使用為主要目的；第6～10章介紹鐳射在計量、加工、醫學、資訊技術，以及現代科技前沿問題中的應用，重點介紹各種應用的思路和方法。 彭潤玲 上海理工大學光電資訊與電腦工程學院，副教授，主講"鐳射原理”等課程，參加編寫普通高等教育"十一五”國家級規劃教材《鐳射原理及應用》。 第1章 輻射理論概要與鐳射產生的條件 11光的波粒二象性 1

11光波 112光子 12原子的能級和輻射躍遷 121原子能級和簡並度 122原子狀態的標記 123玻爾茲曼分佈 124輻射躍遷和非輻射躍遷 13光的受激輻射 131黑體熱輻射 132光和物質的作用 133自發輻射、受激輻射和受激吸收之間的關係 134自發輻射光功率與受激輻射光功率 14光譜線增寬 141光譜線、線型和光譜線寬度 142自然增寬 143碰撞增寬 144多普勒增寬 145均勻增寬和非均勻增寬線型 146綜合增寬 15鐳射形成的條件 151介質中光的受激輻射放大 152光學諧振腔和閾值條件 思考練習題1 第2章 雷射器的工作原理 21光學諧振腔結構與穩定性 211共軸球面諧振腔的

穩定性條件 212共軸球面腔的穩定圖及其分類 213穩定圖的應用 22速率方程組與粒子數反轉 221三能級系統和四能級系統 222速率方程組 223穩態工作時的粒子數密度反轉分佈 224小信號工作時的粒子數密度反轉分佈 225均勻增寬型介質的粒子數密度反轉分佈 226均勻增寬型介質粒子數密度反轉分佈的飽和效應 23均勻增寬介質的增益係數和增益飽和 231均勻增寬介質的增益係數 232均勻增寬介質的增益飽和 24非均勻增寬介質的增益飽和 241介質在小信號時的粒子數密度反轉分佈值 242非均勻增寬型介質在小信號時的增益係數 243非均勻增寬型介質穩態粒子數密度反轉分佈 244非均勻增寬型介質穩態

情況下的增益飽和 25雷射器的損耗與閾值條件 251雷射器的損耗 252鐳射諧振腔內形成穩定光強的過程 253閾值條件 254對介質能級選取的討論 思考練習題2 第3章 雷射器的輸出特性 31光學諧振腔的衍射理論 311數學預備知識 312菲涅耳-基爾霍夫衍射公式 313光學諧振腔的自再現模積分方程 314鐳射諧振腔的諧振頻率和鐳射縱模 32對稱共焦腔內外的光場分佈 321共焦腔鏡面上的場分佈 322共焦腔中的行波場與腔內外的光場分佈 33高斯光束的傳播特性 331高斯光束的振幅和強度分佈 332高斯光束的相位分佈 333高斯光束的遠場發散角 334高斯光束的高亮度 34穩定球面腔的光束傳播

特性 341穩定球面腔的等價對稱共焦腔 342穩定球面腔的光束傳播特性 35其他幾種常用的鐳射光束 351厄米-高斯光束 352拉蓋爾-高斯光束 353貝塞爾光束 36雷射器的輸出功率 361均勻增寬型介質雷射器的輸出功率 362非均勻增寬型介質雷射器的輸出功率 37雷射器的線寬極限 38鐳射光束品質的品質因數M2 39模式鐳射的某些一階統計性質 391單模鐳射的一階統計性質 392多模鐳射的一階統計性質 思考練習題3 第4章 鐳射的基本技術 41雷射器輸出的選模 411鐳射單縱模的選取 412鐳射單橫模的選取 42雷射器的穩頻 421影響頻率穩定的因素 422穩頻方法概述 423蘭姆凹陷法

穩頻 424飽和吸收法穩頻 43雷射光束的變換 431高斯光束通過薄透鏡時的變換 432高斯光束的聚焦 433高斯光束的准直 434鐳射的擴束 44鐳射調製技術 441鐳射調製的基本概念 442電光強度調製 443電光相位調製 45鐳射偏轉技術 451機械偏轉 452電光偏轉 453聲光偏轉 46鐳射調Q技術 461鐳射諧振腔的品質因數Q 462調Q原理 463電光調Q 464聲光調Q 465染料調Q 47鐳射鎖模技術 471鎖模原理 472主動鎖模 473被動鎖模 思考練習題4 第5章 典型雷射器介紹 51固體雷射器 511固體雷射器的基本結構與工作物質 512固體雷射器的泵浦系統 513

固體雷射器的輸出特性 514新型固體雷射器 52氣體雷射器 521氦氖(HeNe)雷射器 522二氧化碳雷射器 523Ar＋離子雷射器 53染料雷射器 531染料雷射器的激發機理 532染料雷射器的泵浦 533染料雷射器的調諧 54半導體雷射器 541半導體的能帶和產生受激輻射的條件 542PN結和粒子數反轉 543半導體雷射器的工作原理和閾值條件 544同質結和異質結半導體雷射器 55其他雷射器 551準分子雷射器 552自由電子雷射器 553化學雷射器 思考練習題5 第6章 鐳射在精密測量中的應用 61鐳射干涉測長 611干涉測長的基本原理 612鐳射干涉測長系統的組成 613鐳射外差干

涉測長技術 614鐳射干涉測長應用舉例 62鐳射衍射測量 621鐳射衍射測量原理 622鐳射衍射測量的方法 623鐳射衍射測量的應用 63鐳射測距 631雷射脈衝測距 632鐳射相位測距 64鐳射准直及多自由度測量 641鐳射准直儀 642鐳射衍射准直儀 643鐳射多自由度測量 65鐳射多普勒測速 651運動微粒散射光的頻率 652差頻法測速 653鐳射多普勒測速技術的應用 66環形鐳射測量角度和角加速度 661環形鐳射精密測角 662光纖陀螺 67鐳射環境計量 68鐳射散射板干涉儀 思考練習題6 第7章 鐳射加工技術 71鐳射熱加工原理 72鐳射表面改性技術 721鐳射淬火技術的原理與應用

722鐳射表面熔凝技術 723鐳射熔覆技術 73鐳射去除材料技術 731鐳射打孔 732鐳射切割 74鐳射焊接 741鐳射熱導焊 742鐳射深熔焊 743鐳射複合焊 75鐳射快速成型技術 751鐳射快速成型技術的原理及主要優點 752鐳射快速成型技術 753鐳射快速成型技術的重要應用 76其他鐳射加工技術 761鐳射清洗技術 762鐳射彎曲 思考練習題7 第8章 鐳射在醫學中的應用 81鐳射與生物體的相互作用 811生物體的光學特性 812鐳射對生物體的作用 813鐳射對生物體應用的優點 82鐳射在臨床治療中的應用 821鐳射臨床治療的種類與現狀 822鐳射在皮膚科及整形外科領域中的應用

823鐳射在眼科中的應用 824鐳射在泌尿外科中的應用 825鐳射在耳鼻喉科中的應用 826最新的技術――間質鐳射光凝術 827光動力學治療 83鐳射在生物體檢測及診斷中的應用 831利用鐳射的生物體光譜測量及診斷 832鐳射斷層攝影 833鐳射顯微鏡 84醫用雷射設備 841醫用雷射光源 842醫用雷射傳播用光纖 85鐳射應用于醫學的未來 851醫用雷射新技術 852光動力學治療的前景 思考練習題8 第9章 鐳射在資訊技術中的應用 91光纖通信系統中的雷射器和光放大器 911半導體雷射器 912光纖雷射器 913光放大器 92鐳射全息三維顯示 921全息術的歷史回顧 922鐳射全息術的基本

原理和分類 923白光再現的全息三維顯示 924計算全息圖 925數字全息術 926全息三維顯示的優點 927全息三維顯示的應用 928全息三維顯示技術的展望 93鐳射存儲技術 931鐳射存儲的基本原理、分類及特點 932鐳射光碟存儲 933鐳射體全息光存儲 934鐳射存儲技術的新進展 94鐳射掃描和雷射印表機 941鐳射掃描 942雷射印表機 95量子光通信中的鐳射源 951量子光通信 952量子態發生器及應用 思考練習題9 第10章 鐳射在科學技術前沿問題中的應用 101鐳射核聚變 1011受控核聚變 1012磁力約束和慣性約束控制方法 1013鐳射壓縮點燃核聚變的原理 102鐳射冷卻

103鐳射操縱微粒 1031光捕獲 1032微粒操縱 104經典衍射極限的解析度 1041解析延拓 1042綜合孔徑傅裡葉全息術 1043傅裡葉疊層演算法 1044相干譜複用 1045非相干結構光照明成像 1046超分辨螢光顯微鏡 105鐳射光譜學 1051拉曼光譜 1052空間高分辨的鐳射顯微光譜 1053頻率高分辨的雙光子光譜 1054時間高分辨的鐳射閃光光譜 1055各種特殊效能的鐳射光譜技術 106鐳射用於反常多普勒效應的基礎物理研究 1061電磁波的正常多普勒效應 1062在負折射率材料中傳播的電磁波的反常多普勒效應 106射光子晶體棱鏡的設計以及負折射性質的實驗驗證 1064反常多

普勒效應的測量光路設計及理論分析 1065反常多普勒效應的測量實驗結果 思考練習題10 附錄A 隨機變數 A1概率的定義和隨機變數 A2分佈函數和密度函數 A3推廣到兩個或多個聯合隨機變數 A4統計平均 附錄B 隨機過程 B1隨機過程的定義和描述 B2平穩性和遍歷性 參考文獻

側向電流注入式之高侷限光波導整合絕緣層覆矽半導體雷射

為了解決雷 射 發散角 計算的問題，作者朱俊燁 這樣論述：

現下，積體光路與矽光子逐漸成熟，但其於主動端的特性並不突出，異質整合技術與三五族半導體之主動元件並達到高能源效率愈發重要，其中光波導結構是所有半導體光電元件相當重要的一部份，擁有光與電的高侷限能力且低製作成本及簡易製程的波導是大家所追求的。故我們利用先進的概念，設計一高侷限之側向電流注入式薄膜式結構，並使用實驗室之間接貼合技術，以僅約 40nm 之 BCB 異質整合三五族與絕緣層覆矽。過去本實驗室已以此結構製作出小尺寸、高消光比之異質整合的電致吸收調變器，此特殊波導表現強量子侷限史塔克效應。在長度 180μm 下的波導，消光比可達一伏特 11dB，但側向電流注入與光場型態的表現並不傑出，須透

過製程手段改善。因此在本論文中，我們則以此設計概念，製作出高侷限之側向電流注入式薄膜雷射，在不犧牲被動層的光場佔比下，模擬主動層的光侷限可達傳統垂直注入式的 1.4 倍，於矽的光場佔比亦被大幅提升，增益提高拉升能源效率，未來若製作 DFB 雷射亦有效控制光柵耦合效率。我們亦製作 TLM 電極測試半導體與金屬接觸特性，使我們的電性顯著改善以利電流注入。製程上，我們優化了實驗室的間接貼合技術，使良率大幅提升，並能承受長時間高溫以利後續製程；而後以製程手段及選擇性底切蝕刻製作出我們的側向電流注入式結構，使電流良好侷限入主動區，並以低折射率材料 BCB 絕緣及包圍形成高侷限光波導，最後沉積共平面電極以

便與矽平台整合，完成元件製作。接著，我們量測電性並進行快速熱退火優化，檢測半導體與金屬接觸；接著量測電流與光功率關係，在連續波電流下，臨界電流分別在長度 1150µm 及 1350µm 長度時為 80mA 與 110mA，最大輸出功率為 0.77mW 與 0.7mW，亦檢測電致發光頻譜，以連續波呈現半導體雷射表現 (Lasing)。後續針對不同蝕刻包覆層深度的光波導進行光電流頻譜與偏壓相依穿透率量測，兩者消光比差異高達 6dB；同時進行遠場量測，結果與模擬之場形與發散角皆相對應，製作成功且證實此設計之可行性及此特殊波導的光侷限性。