鈣鈦礦結構的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列問答集和懶人包總整理

電化學叢書：固態電化學

為了解決鈣鈦礦結構的問題，作者楊勇 這樣論述：

固態電化學學科是一門新興的交叉學科，它主要關注固體中電化學反應過程及其相關材料構效關系。 這本由楊勇主編的《固態電化學(精)》主要介紹固態電化學所涉及的物理、化學與材料相關的基礎理論知識，實驗研究方法，體系應用及其今後發展趨勢。   全書共分為12章，包括固態電子/電解質材料合成方法（包括相關的實驗方法和技術）、固態材料結構分析、固態材料中的缺陷化學、固態電子結構與電子電導、固態離子輸運過程及其特性、無機離子導體材料、聚合物電解質、離子嵌入脫出反應、氧離子導體及混合導體、材料物理與化學性質的計算機模擬、固態電化學研究方法（包括一些新型的表徵技術等）。 本書可供相關學科科

研與技術研發的科研工作者與工程技術人員參考，也可作為高校化學、物理、材料、化工、能源、環境等學科本科生或研究生的教學參考書。

薄膜結構X射線表征（第二版）

為了解決鈣鈦礦結構的問題，作者麥振洪 這樣論述：

結合作者二十多年來的工作積累和國內外最新進展，系統介紹應用X射線衍射和散射技術表征薄膜微結構的多種基本實驗裝置、實驗數據分析理論以及典型的薄膜微結構表征實例。《薄膜結構X射線表征》分3篇(共19章)：第1篇為基本實驗裝置(第1～3章)，主要介紹X射線源、X射線准直和單色化、各種探測器以及薄膜X射線衍射儀和表面/界面散射裝置。第2篇為基本理論(第4～10章)，介紹薄膜X射線衍射和散射實驗數據分析所用的相關理論，包括用於薄晶體或小晶體多層膜和金屬多層膜的X射線衍射運動學理論；用於近完美多層膜、半導體超晶格和多量子阱的X射線衍射動力學理論；用於原子密度和晶格參數很接近的金屬多層膜

的X射線異常衍射精細結構理論；用於薄膜和多層膜表面與界面分析的X射線反射、漫散射理論以及掠入射衍射理論。基本覆蓋了目前應用X射線衍射和散射技術研究薄膜結構所需要的理論。第3篇為薄膜微結構表征(第11～19章)，介紹應用X射線衍射和散射技術表征薄膜微結構的實例，除了總結作者二十多年來在薄膜研究中所解決的微結構表征實例外，還盡量收集近年來國內外有關的重要結果，以供讀者參考。薄膜的種類涉及半導體外延膜及超晶格材料、超導異質薄膜材料、金屬磁性多層膜材料、軟物質薄膜和有機半導體薄膜。表征的微結構包括單層膜和多層膜厚度、點陣參數、應力、表面與界面、缺陷、弛豫橫向、調制結構以及鈣鈦礦結構氧八面體畸變。

以原子層沉積法成長二氧化鈦薄膜隨機電阻式記憶體開關特性之研究

為了解決鈣鈦礦結構的問題，作者黃啟賡 這樣論述：

本研究以二氧化鈦薄膜作爲隨機電阻式記憶體的主要研究材料製成Ni/TiO2/BE（Bottom Electrode）的三明治結構的隨機電阻式記憶體。藉由改變元件的底部電極材料、二氧化鈦薄膜的製程溫度與退火環境來研究電極材料、二氧化鈦的結晶程度與氧空位含量對元件開關的影響。并且通過電流電壓特性與薄膜微結構影像來分析元件的傳導機制與開關模型。 在對比鎳與金兩種不同氧活性的金屬材料作爲底部電極元件的開關特性，發現 Ni/TiO2/Au 結構的元件開關次數多于 Ni/TiO2/Ni 結構的元件。解決了Ni/TiO2/Ni 結構因底部電極在製程過程中氧化而產生的整流現象，并且有著更好的耐久度與可靠度。然

而通過提高二氧化鈦薄膜的製程溫度，讓二氧化鈦薄膜形成結晶能夠改善元件的耐久度、開關穩定度與開關效率。同樣發現結晶的二氧化鈦薄膜元件有著比非晶態的二氧化鈦薄膜元件更小的 Vset與 Vreset，優化了元件的能耗。 在對比無退火元件、氧氣環境退火元件與氮氣環境退火元件的開關特性，氧氣環境退火元件有著更高的薄膜電阻，更小的漏電流與更好的試片可開關率。但是存在比其他兩個元件較差的開關穩定性，更大的 Vforming、Vset與 Vreset，以及需要 Forming 的電極數目增加。這源於氧氣退火后，二氧化鈦薄膜中的氧空位減少導致的。氮氣退火后的元件能夠增加二氧化鈦薄膜中的氧空位，能夠有著與氧氣退火

相反的效果。通過分析以上試片的開關特性，並探討了元件的傳導機制與開關模型。不同於氮氣退火元件在高阻態下主要為跳躍傳導的傳導機制，其他元件在高阻態下的傳導機制為肖特基傳導，在低阻態下的傳導機制皆為歐姆傳導。在開關模型上，元件的開關是以氧空位導電細絲的氧化還原反應來控制的電阻變化。從穿透式電子顯微鏡的成像中可以看到在導電細絲上存在來自頂部電極與底部電極的金屬原子，隨著量測次數增加會使得開關厚度變小以及兩端的金屬細絲完全連接頂部電極與底部電極，使得元件完全短路。