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另外網站儀器耗材- 超音波清洗機也說明：原理: 超音波洗淨作用,是以超過人類聽覺聲頻以上的波動在液體中傳導.當音波在洗淨劑中傳播時,由於音波是一種縱波,縱波推動介質的作用會使液體中壓力變化而產生無數 ...
國立陽明交通大學 光電工程研究所 陳方中所指導 黎宏琳的 以金屬有機框架材料為電洞注入層製作有機發光二極體 （2021），提出超音波震盪清洗機關鍵因素是什麼，來自於金屬有機框架材料、有機發光二極體、ZIF-8、PEG、電洞注入層。
而第二篇論文國立雲林科技大學 電子工程系 黃建盛、章詠湟所指導 劉謙的 利用化學氣相沉積法成長單層二硫化鉬與其光電特性探討 （2021），提出因為有 二維材料、二硫化鉬、照光的重點而找出了 超音波震盪清洗機的解答。
最後網站公司簡介-鑫揚超音波科技有限公司則補充：2. 多槽式超音波清洗機。 3. 自動化超音波洗淨機。 4. 聚焦式超音波洗淨機。 5. 各種投入式振盪器。
生化實驗基本儀器篇：蜥蜴先生的魔法沙龍秀(無書，DVD)
為了解決超音波震盪清洗機 的問題，作者中研院生化所臺大生化實驗教學資源工作室 這樣論述：
高畫質多媒體教學影片---- 適用於高中至研究所之生命科學及理化科 ◆進行教學或自我學習，維持教學品質 ◆藉由重複觀賞來熟悉儀器操作或實驗技術 ◆職前訓練或在職訓練 生化科技是現今最熱門的領域，許多魔法般的研究成果都在科學家的智慧和巧手之下，化不可能為可能。生化科技的一切，大都有賴實驗室中各項儀器的操作才得以完成。有別於傳統化學儀器，生化實驗儀器有其特殊的設計原理，且需要相當精確的操作步驟，這是各大專院校的相關科系必須特別重視生化實驗教學課程的主要原因。 然而生化實驗的教學工作嚴重受限於人力、時間、經費或儀器。為減輕教學負擔，並因應愈來愈多的修課人數、愈來愈龐大的經費需求，與愈來愈
複雜的實驗技術，實有必要利用多媒體輔助教材進行教學或自我學習。除了可維持教學品質，不會因講員或助教不同而產生落差，亦可讓學生藉由重複觀賞來熟悉實驗技術，減少實驗失敗的機會。比起採用傳統實際操作儀器的方式來示範儀器的使用，每示範一次便消耗一次儀器的壽命及一次的耗材費用，使用多媒體輔助教材可以節省相當可觀的儀器維護費用與實驗藥品耗材的消耗，且可以省略多次示範所需的人力。 本 DVD 教學影片之製作，除了使用專業級之攝影器材拍攝，務求畫質清晰、色彩柔和外，尤其突破傳統人工示範操作的模式： ◆(1) 利用動畫配合真人示範的方式說明生化實驗室中各項基本儀器的操作方法。 ◆(2) 依照實驗教學專業知識
，以拍攝技巧克服傳統示範時所遭遇的視角問題。 ◆(3) 以重點畫面凸顯操作秘訣與安全注意事項。 ◆(4) 以互動式的卡通選單有系統地呈現學習主題，兼顧知識性與趣味性。 經本年度實際使用於本校生命科學院生化科學研究所所開設之生化實驗課程，確實可提高學生之學習興趣與學習成效，證明為一優良之生化實驗教學資源。 ★ 蜥蜴先生的夢想與魔法婆婆 ★ 魔法婆婆的地窖---器材準備 （藥品保存設備、烘箱、超音波清洗機、電子稱藥天平） ★ 魔法婆婆的煉丹房---配製魔藥 （抽風櫃、分光光度計、酸鹼度計、加熱攪拌器、離心機） ★ 魔法婆婆的秀場---沙龍現場 （微量吸管、電動吸管輔助器、乾浴加熱器、
震盪機、轉動震盪器、電源供應器） ★ 魔法婆婆的肺腑之言
以金屬有機框架材料為電洞注入層製作有機發光二極體
為了解決超音波震盪清洗機 的問題，作者黎宏琳 這樣論述：
在本論文中，金屬有機框架材料將作為有機發光二極體的電洞注入層，我們以簡單方法製備類沸石咪唑框架材料-8(ZIF-8)薄膜，以溶於二甲基甲酰胺溶劑中的2-甲基咪唑和六水合硝酸鋅依次旋塗能得到ZIF-8薄膜，同時將聚乙二醇混合到 ZIF-8 薄膜中更能提升薄膜品質及薄膜覆蓋率。我們利用低掠射角繞射儀和紫外-可見光譜鑑定ZIF-8薄膜的特徵。使用沒有摻入PEG的ZIF-8薄膜製作有機發光二極體的最大亮度和電流效率分別為660 cd/m2和3.2 cd/A，在摻入PEG後，它們分別達到930 cd/m2和6.9 cd/A。這些結果證明了ZIF-8是一種可以通過簡易可溶液製程的有機發光二極體電洞注入層
。
利用化學氣相沉積法成長單層二硫化鉬與其光電特性探討
為了解決超音波震盪清洗機 的問題，作者劉謙 這樣論述：
單層二硫化鉬(MOS2) 是一種過渡金屬二硫化物（TMD）也是一種二維材料(2D)，並且在單層與多層時分別為直接能帶與間接能帶，在石墨烯(graphene)的多年研究下TMD材料在近幾年逐漸挖掘以及研究下發現在單層厚度小於1奈米的情況下二硫化鉬(MOS2)薄膜，做為二維材料的二硫化鉬(MOS2)是未來半導體微小化很有淺力的候選者。TMD材料在多年研究下其特性逐漸明朗，在這項工作中，我們提出了利用富硫與少硫的情況下使用高溫爐管並以化學氣象沉積(CVD) 系統來製備二維單層二硫化鉬(MOS2) 硫(S)和三氧化鉬(MoO3)粉末用作 MOS2 生長的固態源。PL 與拉曼技術確定CVD合成之單層
MOS2 的品質提高，用XPS技術測量以分析薄膜的元素組成，AFM技術確認其表面形貌與厚度，TEM技術用於觀察合成材料之原子排列結構。在這裡，我們提出了富硫與少硫MOS2單層膜的氣相沉積過程，並且重點觀察製程中與一般CVD成長法不同的成長理論。藉由控制MOS2中硫的多寡我們對其進行了一系列照光分析發現在缺硫以及富硫的情況下MOS2的電性會有下降的情況發生。